STD9NM60N数据手册ST中文资料规格书
STD9NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STD9NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.745
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6.5
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：17.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
597 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST(意法半导体) |
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TO-252-3 |
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ST |
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TO-252 |
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STM |
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TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST |
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TO-252 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST |
22+ |
NA |
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原装正品支持实单 |
询价 |
