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STD65N55	文件：210.45 Kbytes Page：11 Pages	Marking：D65N55；Package：DPAK；N-channel 55V - 8.0mΩ - 65A - DPAK MDmesh™ low voltage Power MOSFET Generalfeatures ■Standardthresholddrive ■100avalanchetested Description ThisN-ChannelenhancementmodePower MOSFETisthelatestrefinementof STMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™“ strip-basedprocesswithlesscriticalaligment stepsandthereforearemarkablemanufac	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD65N55F3	文件：437.05 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 55V - 8.0m ohm - 65A - DPAK STripFET TM Power MOSFET Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingSTripFET™F3technology.Itisdesignedtominimizeon-resistanceandgatechargetoprovidesuperiorswitchingperformance. Features •AEC-Q101qualified •100avalanchetested Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD65N55LF3	文件：804.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 55 V, 7.0, 80 A DPAK STripFET III Power MOSFET Description ThisproductisaN-channelenhancementmodePowerMOSFETbuiltwithSTripFET™IIItechnologywhichisespeciallytailoredtominimizedon-stateresistanceandgatecharge,providingsuperiorswitchingperformance. Features ■Lowthresholddrive ■100avalanchetested Application	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD65N55F3	文件：970.81 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD65N55LF3	文件：998.87 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD65N55
功能描述：
MOSFET STripFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD65N55供应商更新时间2025-5-2 10:12:00

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