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详细参数

  • 型号:

    STD4N25-1

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 250V 4A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
N/A
1800
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ST
05+
原厂原装
2551
只做全新原装真实现货供应
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ST
17+
TO-252
6200
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ST
2024+
TO-252
50000
原装现货
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ST
25+
TO-252
16900
原装,请咨询
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ST
26+
TO-252
60000
只有原装 可配单
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ST
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO252
30000
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SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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ST
22+
TO252
20000
公司只做原装 品质保障
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更多STD4N25-1供应商 更新时间2025-12-19 16:01:00