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STD26P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，DPAK封装; • RDS(on)* Qgindustry benchmark \n• Extremely low on-resistance RDS(on) \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate input resistance; This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STD26P3LLH6

文件：300 bytes

Page：1 Pages

P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，DPAK封装; • RDS(on)* Qgindustry benchmark \n• Extremely low on-resistance RDS(on) \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate input resistance;

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages\n\n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STD26P3LLH6

文件：987.74 Kbytes

Page：16 Pages

Low gate input resistance

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STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
-30
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.045
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.03
Drain Current (Dc)_max(A)：
-24
PTOT_max(W)：
40
Qg_typ(nC)：
12

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更多STD26P3供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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