Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 m typ., 80 A STripFETTM F7 Power MOSFET in a DPAK package

Features  AEC-Q101 qualified  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFETTM F7 technology with an enhanced trench gate structure th

文件：783.22 Kbytes 页数：16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

汽车级N沟道40 V、2.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

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