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STD16N60M2	文件：453.02 Kbytes Page：16 Pages	Extremely low gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF16N60M2	文件：383.93 Kbytes Page：13 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF16N60M2	文件：301.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STL16N60M2	文件：479.46 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.290廓typ.,8AMDmesh??M2PowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP16N60M2	文件：453.16 Kbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,12AMDmesh??M2PowerMOSFETinTO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thesedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics, renderingthemsuitableforthemostdemanding higheff	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU16N60M2	文件：453.16 Kbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,12AMDmesh??M2PowerMOSFETinTO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thesedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics, renderingthemsuitableforthemostdemanding higheff	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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更多STD16N60M2供应商更新时间2025-5-1 16:36:00

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