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STD155N3H6中文资料N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

STD155N3H6

功能描述

N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 11:22:00

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STD155N3H6规格书详情

描述 Description

These devices are 30 V N-channel Power MOSFETs realized using ST`s proprietary STripFET™ VI technology. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

特性 Features

R
DS(on)* Q
gindustry benchmark
Extremely low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness

技术参数

  • 型号:

    STD155N3H6

  • 功能描述:

    MOSFET Nchannel 30 V 2.5 m Ohm80A DPAK STripFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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