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STD123S	文件：836.25 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
STD123S	文件：70.13 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	AUK AUK corp	AUK
STD123S	文件：944.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
STD123S	文件：252.33 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123S	文件：1.57374 Mbytes Page：4 Pages	Marking：123；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Lowsaturationmediumcurrentapplication Extremelylowcollectorsaturationvoltage Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
STD123S	文件：252.33 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123SF	文件：69.33 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	AUK AUK corp	AUK
STD123SF	文件：207.66 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123U	文件：251.14 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD123U	文件：251.14 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationmediumcurrentapplication •Extremelylowcollectorsaturationvoltage •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability •Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

详细参数

型号：
STD123S
制造商：
AUK
制造商全称：
AUK corp
功能描述：
NPN Silicon Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STD123S供应商更新时间2025-5-1 14:00:00

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