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STP11NM60FD	文件：1.035089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP11NM60FD	文件：318.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP11NM60FD	文件：357.14 Kbytes Page：16 Pages	N-channel30V-0.014ohm-45ATO-220-TO-220FP-D2PAKSTripFETIIpowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STP11NM60FP	文件：364.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650VTJmax-0.4OHM-11ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP11NM60FP	文件：548.57 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL600V-0.4ohm-11ATO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKMDmesh?줡owerMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoption	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD11NM60ND
功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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