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STD11N65M2中文资料N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD11N65M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD11N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.68
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：12.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
1833+ |
TO-252 |
518 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
26+ |
TO-252-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
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ST/意法 |
2450+ |
NA |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
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原装现货,实单价优 |
询价 |
