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STB9NB50中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB9NB50
厂商型号

STB9NB50

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH MOSFET

文件大小

93.56 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 16:11:00

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STB9NB50规格书详情

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH™ MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 0.75 Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCE

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ LOW LEAKAGE CURRENT

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR SMD D2PAK VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

■ DC-AC CONVERTER FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY (UPS)

产品属性

  • 型号:

    STB9NB50

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500 Volt 9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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