STB8NM60D中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STB8NM60D规格书详情
描述 Description
The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters
General features
■ High dv/dt and avalanche capabilities
■ 100 avalanche rated
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Fast internal recovery diode
Applications
The MDmesh™ family is very suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
产品属性
- 型号：
STB8NM60D
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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TO263-3 |
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