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STB6NK60Z-1数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STB6NK60Z-1

功能描述

N沟道600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:22:00

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STB6NK60Z-1规格书详情

描述 Description

The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.

特性 Features

• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• 100% avalanche tested

技术参数

  • 制造商编号

    :STB6NK60Z-1

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :I2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :1.2

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :6

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :33

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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