STB6N80K5中文资料N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB6N80K5规格书详情
描述 Description
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB6N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.5
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：7.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/ |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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ST |
24+ |
D2PAK |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
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24+ |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
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ST |
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