STB6N80K5数据手册ST中文资料规格书
STB6N80K5规格书详情
描述 Description
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB6N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.5
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：7.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-263-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
250 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
24+ |
D2PAK |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
6850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
