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STB6N62K3	文件：1.06712 Mbytes Page：19 Pages	Very low intrinsic capacitance 文件：1.06712 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB6N62K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK	ST 意法半导体	ST
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STF6N62K3	文件：1.05244 Mbytes Page：19 Pages	N-channel 620 V, 0.95 廓 typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages 文件：1.05244 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB6N62K3
功能描述：
MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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