STB6N62K3数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号:
STB6N62K3
- 功能描述:
MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-263-3 |
7600 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
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ST原现 |
24+ |
TO-263 |
9600 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
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ST/意法 |
22+ |
D2PAK |
95803 |
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STMicroelectronics |
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原厂原包装 |
6800 |
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ST |
21+ |
TO-263 |
200 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
2000 |
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ST原现 |
24+ |
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