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STB6N62K3中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB6N62K3
厂商型号

STB6N62K3

功能描述

Very low intrinsic capacitance

文件大小

1.06712 Mbytes

页面数量

19

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-17 14:16:00

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产品属性

  • 型号:

    STB6N62K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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