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STB60NE06L-16中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB60NE06L-16
厂商型号

STB60NE06L-16

功能描述

N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET

文件大小

85.16 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 14:36:00

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STB60NE06L-16规格书详情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronis unique ”Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.014 Ω

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175 °C OPERATING TEMPERATURE

■ LOW THRESHOLD DRIVE

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT

产品属性

  • 型号:

    STB60NE06L-16

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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