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STB60NE06-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB60NE06-1
厂商型号

STB60NE06-1

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

文件大小

115.35 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:38:00

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STB60NE06-1规格书详情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ” Single Feature Siz™ ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.013 Ω

■ EXCEPTIONAL dV/dt CAPABILTY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100 oC

■ HIGH dV/dt CAPABILITY

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

产品属性

  • 型号:

    STB60NE06-1

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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