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STW30NF20	文件：390.37 Kbytes Page：16 Pages	N-channel200V-0.065廓-30A-TO-220/TO-247/D2PAKLowgatechargeSTripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconverters. Features ■Gatechargemin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW30NF20	文件：2.29249 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi200V,32AN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
STW30NF20	文件：392.22 Kbytes Page：16 Pages	N-channel200V-0.065-30A-TO-220/TO-247/D2PAKLowgatechargeSTripFETPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW30NF20	文件：350.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.075Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
W30NF20	文件：2.29309 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi200V,32AN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
STB30NF20
功能描述：
MOSFET N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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