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STB13NM50N中文资料MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK数据手册ST规格书
技术参数
- 型号：
STB13NM50N
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
25+ |
D2PAK |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST |
2511 |
D2PAK |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
11200 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST |
2447 |
D2PAK(TO-263) |
100500 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-263 |
40909 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
21+ |
TO263 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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