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STAV58100G2	文件：1.25583 Mbytes Page：7 Pages	Gallium Nitride 50V, 100W,4.4-6GHz RF Power Transistor Description The STAV58100G2 is a single ended 100watt, GaN HEMT, ideal for 5G NR applications from 4.8-5GHz and LTE-U application from 5.3-5.9GHz. It is an internally matched transistor capable of supporting CW, pulse or any modulated signal. There is no guarantee of performance when this part 文件：1.25583 Mbytes 页数：7 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STAV58100G2	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaN Transistors	Innogration 远创达	Innogration
STB10LN80K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST/意法上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	ST/意法
STB120NF10T4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市赛科盈电子有限公司	ST
STB12NK80Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	ST 上传：深圳市粤骏腾电子科技有限公司	ST

技术参数

Band(MHz)：
4400-6000
Application：
5G
Ppeak (W)：
100
Pavg (W)：
/
Eff @ Pavg(%)：
/
Linear Gain(dB)：
/
Condition：
Single ended
Status：
Released

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STAV58100G2供应商更新时间2026-1-27 10:18:00

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