STA457C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STA457C |
参数属性 | STA457C 封装/外壳为10-SIP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP |
功能描述 | PNP NPN Darlington H-bridge |
封装外壳 | 10-SIP |
文件大小 |
45.07 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Sanken electric |
企业简称 |
SANKEN【三垦】 |
中文名称 | 三垦电气株式会社官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-8 11:12:00 |
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STA457C规格书详情
STA457C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由三垦电气株式会社制造生产的STA457C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
产品属性
更多- 产品编号:
STA457C
- 制造商:
Sanken
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
2 NPN,2 PNP 达林顿管(H 桥)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
4A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
60V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 4mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 2A,4V
- 功率 - 最大值:
4W
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
10-SIP
- 供应商器件封装:
10-SIP
- 描述:
TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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