STA434A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STA434A |
| 参数属性 | STA434A 封装/外壳为10-SIP；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP |
| 功能描述 | PNP NPN Darlington H-bridge |
| 封装外壳 | 10-SIP |
| 文件大小 |
45 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Sanken |
| 中文名称 | 三垦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 20:00:00 |
| 人工找货 | STA434A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STA434A规格书详情
STA434A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由三垦电气株式会社制造生产的STA434A晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
产品属性
更多- 产品编号：
STA434A
- 制造商：
Sanken
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 10mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
- 功率 - 最大值：
4W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
10-SIP
- 供应商器件封装：
10-SIP
- 描述：
TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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