STA434分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
STA434 |
| 参数属性 | STA434 封装/外壳为10-SIP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP |
| 功能描述 | PNP NPN Darlington H-bridge |
| 封装外壳 | 10-SIP |
| 文件大小 |
30.55 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | SANKEN |
| 中文名称 | 三垦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-25 17:02:00 |
| 人工找货 | STA434价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
STA434三极管、STA434晶体管、STA434晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
4*DARL
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
4A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
10
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
4W
- 放大倍数:
- 图片代号:
I-18
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
4
STA434规格书详情
STA434属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由三垦电气株式会社制造生产的STA434晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
PNP + NPN Darlington H-bridge
产品属性
更多- 产品编号:
STA434A
- 制造商:
Sanken
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
2 NPN,2 PNP 达林顿管(H 桥)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
4A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
60V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 10mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 3A,4V
- 功率 - 最大值:
4W
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
10-SIP
- 供应商器件封装:
10-SIP
- 描述:
TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
25+ |
SIP10Pin |
880000 |
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Sanken |
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