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ST2SC1623	文件：129.669 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,O,Y,G andL,accordingtoitsDCcurrentgain Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SC1623	文件：203.59 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623	文件：62.62 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC1623	文件：194.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Lead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC1623	文件：60.97 Kbytes Page：6 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP. (VCE=6.0V,IC=1.0mA) •HighVoltage:VCEO=50V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC1623	文件：239.79 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SC1623	文件：148.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor DESCRIPTION The2SC1623isdesignedforusedriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC1623	文件：146.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ●HighDCCurrentGain: hFE=200TYP. VCE=6.0V,IC=1.0mA ●HighVoltage: VCEO=50V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC1623	文件：67.21 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SC1623	文件：136.53 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
ST2SC1623
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全称：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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