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ST2300S23RG	文件：302.75 Kbytes Page：7 Pages	N Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION The ST2300 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage app 文件：302.75 Kbytes 页数：7 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
ST2300S23RG	文件：1.05185 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.05185 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ST2303	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ST 上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	ST
ST230C12C0	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-200AA	IR 国际整流器上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	IR
ST232BDR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP16	ST 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ST

详细参数

型号：
ST2300S23RG
制造商：
STANSON
制造商全称：
STANSON
功能描述：
N Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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