ST13007D中文资料高压快速切换NPN功率晶体管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
ST13007D |
| 参数属性 | ST13007D 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 8A TO220 |
| 功能描述 | 高压快速切换NPN功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
| 人工找货 | ST13007D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ST13007D规格书详情
描述 Description
The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.
特性 Features
• FULLY CHARACTERIZED AT 125 °C
• VERY HIGH SWITCHING SPEED
• IMPROVED SPECIFICATION:LOWER LEAKAGE CURRENTTIGHTER GAIN RANGE DC CURRENT GAIN PRESELECTIONTIGHTER STORAGE TIME RANGE
• INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE
• HIGH VOLTAGE CAPABILITY
• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
• LARGE RBSOA
• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
简介
ST13007D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ST13007D晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：ST13007D
- 生产厂家
：ST
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：400
- Collector-Base Voltage_max(V)
：700
- Collector Current_max(A)
：8
- Dc Current Gain_min
：8
- Dc Current Gain_max
：25
- Test Condition for hFE (IC)
：5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：5
- VCE(sat)_max(V)
：1.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：5
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：1000
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
ITO-220AB-3 |
942 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
54648 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST |
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TO-220 |
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