ST13003数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
ST13003规格书详情
描述 Description
The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability.
It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
特性 Features
• High voltage capability
• Low spread of dynamic parameters
• Very high switching speed
简介
ST13003属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ST13003晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：ST13003
- 生产厂家
：ST
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：400
- Collector-Base Voltage_max(V)
：700
- Collector Current_max(A)
：1.5
- Dc Current Gain_min
：5
- Dc Current Gain_max
：25
- Test Condition for hFE (IC)
：1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：2
- VCE(sat)_max(V)
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：250
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3278 |
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ST/意法半导体 |
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SOT-32-3 |
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ST |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOT-32-3 |
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ST |
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ST |
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ST |
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ST |
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TO-126 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
SOT-32-3 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
SOT-32-3 |
10000 |
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