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SSW1N60B

600V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi

文件:607.89 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

ST1N60

POWER MOSFET

文件:127.22 Kbytes 页数:4 Pages

SUNTAC

STD1N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08898 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SVF1N60AD

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08796 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    SSW1N60B

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
仙童
06+
TO-263
3800
原装
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FAIRCHILD/仙童
22+
TO
6000
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仙童
25+
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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TO-263
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更多SSW1N60B供应商 更新时间2026-1-31 10:32:00