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SSU1N50B中文资料520 V N 沟道 MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

SSU1N50B

功能描述

520 V N 沟道 MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 20:00:00

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SSU1N50B规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效的开关模式电源、功率因数校正和半桥电子灯整流器。

特性 Features

•1.3 A、520 V、RDS(on) = 5.3 Ω,需 VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型值 8.3 nC)
•低 Crss(典型值 5.5 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

技术参数

  • 型号:

    SSU1N50B

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    520V N-Channel MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-251
100000
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