SSU1N50B数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效的开关模式电源、功率因数校正和半桥电子灯整流器。

特性 Features

•1.3 A、520 V、RDS(on) = 5.3 Ω，需 VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值 8.3 nC)
•低 Crss（典型值 5.5 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能