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SVF4N60CADTR	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAF	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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SVF4N60CAMJ	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMN	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAT	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF4N60D	文件：1.07807 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVF4N60MJ	文件：1.90686 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVF4N60T	文件：1.09026 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SW4N60	文件：377.03 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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详细参数

型号：
SSR4N60B
功能描述：
MOSFET 600V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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