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SVF4N60CAK	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：SVF4N60CAK；Package：TO-262-3L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVF4N60CAK	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面高压MOS功率管 SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;	Silan 士兰微	Silan
SVF4N60CAMJ	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVF4N60CAMN	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVF4N60CAT	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN

技术参数

Status：
MP
Type：
N
Process：
F-cell
Configuration：
Single
Popular Application：
High Voltage
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO
Schottky Type：
NO
Package：
TO-262-3L
VGS：
30
ID @25℃：
2~4
PD @25℃：
4
RDS[ON]@VGS=10v：
95
VGS[th]：
2.40
Ciss：
450.00
Crss：
5.00
Qg：
12.70
Qgd：
6.10
Td[on]：
10.30
Td[off]：
30.10

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