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SVF4N60D

平面高压MOS功率管

SVF4N60D/F/T/M  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 • 4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

SVF4N60D

Power MOSFET

文件:1.07807 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SVF4N60D/F/T/M

F-CellTM系列高压MOSFET

Silan

士兰微

SVF4N60DTR

F-CellTM系列高压MOSFET

Silan

士兰微

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    600

  • Id (A)Tc=25℃:

    4

  • Vgs (th) (V):

    2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    2

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    2.4

  • Qg@10Vtyp (nC):

    13

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更多SVF4N60D供应商 更新时间2025-10-10 11:12:00