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60N05	文件：67.38 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
60N05	文件：136.74 Kbytes Page：3 Pages	60A,50VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC60N05isanN-channelpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge.TheUTC60N05issuitableformotorcontrol,AC-DCorDC-DCconvertersandaudioamplifiers,etc	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
HM60N05	文件：1.06906 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM60N05K	文件：1.26914 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
MTB60N05HD	文件：283.05 Kbytes Page：11 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB60N05HDL	文件：283.05 Kbytes Page：11 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTM60N05	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP60N05	文件：166.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES50VOLTSRDS(on)=0.014OHM TMOSPOWERFET60AMPERES50VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP60N05HDL	文件：166.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES50VOLTSRDS(on)=0.014OHM TMOSPOWERFET60AMPERES50VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
OM60N05SA	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
SSP60N05	文件：268.24 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
UTT60N05	文件：134.67 Kbytes Page：3 Pages	60A,50VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFETTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUTT60N05isanN-channelenhancementpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge. TheUTCUTT60N05issuitableformotorcontrol,AC-DCorDC-DCconvertersandaudi	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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