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SSM6P49NU	文件：192.82 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Features (1)1.8Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=157mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=76mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=56mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=45mΩ(max)(@VGS=-10V) Applications •PowerManagementSwitches	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM6P49NU

文件：192.82 Kbytes

Page：6 Pages

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

Features (1)1.8Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=157mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=76mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=56mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=45mΩ(max)(@VGS=-10V) Applications •PowerManagementSwitches

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM6P49NU
功能描述：
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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