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SSM6P49NU中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

SSM6P49NU

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

文件大小

192.82 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 10:02:00

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SSM6P49NU规格书详情

特性 Features

(1) 1.8 V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 157 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 76 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

Applications

• Power Management Switches

产品属性

  • 型号:

    SSM6P49NU

  • 功能描述:

    MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
25+
UDFN6
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价格优势 支持实单
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NK/南科功率
2025+
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