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MOSFETsSiliconP-ChannelMOS 1.Applications •AnalogSwitches 2.Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@VGS=- | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
AnalogSwitches Features (1)1.2Vdrive (2)ESD(HBM)level2kV (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@ | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconP-ChannelMOS 1.Applications •AnalogSwitches 2.Features (1)1.2Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@VGS=- | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
AnalogSwitches Features (1)1.2Vdrive (2)ESD(HBM)level2kV (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.2Ω(typ.)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=2.3Ω(typ.)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=2.0Ω(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=1.5Ω(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=1.1Ω(typ.)(@ | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
High-SpeedSwitchingApplications ○High-SpeedSwitchingApplications ○AnalogSwitchApplications •1.2-Vdrive •LowON-resistance:Ron=44Ω(max)(@VGS=-1.2V) :Ron=22Ω(max)(@VGS=-1.5V) :Ron=11Ω(max)(@VGS=-2.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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