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SSM6N813R	文件：431.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NNB；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：431.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N813R	文件：434.77 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NNB；Package：TSOP6F；Power Management Switches 文件：434.77 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N813R_V01	文件：431.93 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：431.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N813RLF	文件：431.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NNB；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：431.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N813RLXGF	文件：431.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NNB；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：431.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N813RLXHF	文件：431.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NNB；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：431.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N813R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nInternal Connection：Independent\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current (Q1) ID 2 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 100 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V \nDrain current (Q2) ID 2 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 100 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V \nPower Dissipation PD 1.4 W ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
TSOP6F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch x 2
VDSS(V)：
100
ID(A)：
3.5
=4.5V：
0.154
=10V：
0.112
Qg(nC)：
3.6
Tch(℃)：
175
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	SSM6N813R	NK/南科功率	2025+	TSOP6F	986966	国产	询价
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更多SSM6N813R供应商更新时间2025-10-11 14:01:00

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