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SSM6N62TU	文件：381.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN3；Package：UF6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 67 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 74 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 84 mΩ (t 文件：381.57 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N62TU	文件：335.53 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN3；Package：UF6；Power Management Switches 文件：335.53 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N62TU_V01	文件：381.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 67 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 74 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 84 mΩ (t 文件：381.57 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N62TULF	文件：381.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN3；Package：UF6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 67 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 74 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 84 mΩ (t 文件：381.57 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N62TULXGF	文件：381.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN3；Package：UF6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 67 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 74 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 84 mΩ (t 文件：381.57 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N62TULXHF	文件：381.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN3；Package：UF6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 67 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 74 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 84 mΩ (t 文件：381.57 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N62TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current (Q1) ID 0.8 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS ±8 V \nDrain current (Q2) ID 0.8 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS ±8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Package name(Toshiba)：
UF6
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch x 2
VDSS(V)：
20
ID(A)：
0.8
=1.2V：
0.456
=2.5V：
0.098
=4.5V：
0.085
Qg(nC)：
2.0
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	SSM6N62TU	TOSHIBA/东芝	2025+	UF6	5000	原装进口,免费送样品!	询价
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更多SSM6N62TU供应商更新时间2026-2-5 16:36:00

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