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SSM6N35AFE规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch×2
Generation：U-MOSⅢ
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM3K35AMFV
Component Product (Q2)：SSM3K35AMFV
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 0.25 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-10 V
Drain current (Q2) ID 0.25 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-10 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM6N35AFE
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch x 2
- VDSS(V)
：20
- VGSS(V)
：+/-10
- ID(A)
：0.25
- PD(W)
：0.15
- Ciss(pF)
：18
- Qg(nC)
：0.34
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
：9.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
：3.1
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
：2.4
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：1.6
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：1.1
- Number of pins
：6
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：ES6
- Generation
：U-MOSⅢ
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
- Package Size(mm^2)
：2.56
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba |
ES6 |
44700 |
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TOSHIBA |
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SOT363 |
47900 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA(东芝) |
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2025+ |
ES6 |
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TOSHIBA/东芝 |
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ES6 |
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TOSHIBA |
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ES6 |
200000 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
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100500 |
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