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SSM6L820R中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM6L820R
厂商型号

SSM6L820R

功能描述

MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS

丝印标识

ALA

封装外壳

TSOP6F

文件大小

555.77 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 11:26:00

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SSM6L820R规格书详情

1. Applications

• Power Management Switches

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) Low drain-source on-resistance

Q1 N-channel:

RDS(ON) = 39.1 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 53 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

Q2 P-channel:

RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 76 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 157 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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