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SSM6L807R数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6L807R

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-17 20:00:00

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SSM6L807R规格书详情

描述 Description

Application Scope:Power Management Switches
Polarity:N-ch + P-ch
Generation:U-MOSⅦ-H / U-MOSⅥ
Internal Connection:Independent
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-12 V
Drain current (Q1) ID 4 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-12 V
Drain current (Q2) ID -4 A
Power Dissipation PD 1.4 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6L807R

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Polality

    :N-ch + P-ch

  • VDSS(V)

    :30/-20

  • VGSS(V)

    :+/-12

  • ID:Q1(A)

    :4

  • ID:Q2(A)

    :-4

  • PD(W)

    :1.4

  • Ciss:Q1(pF)Typ.

    :310

  • Ciss:Q2(pF)Typ.

    :480

  • Qg:Q1(nC)Typ.

    :3.2

  • Qg:Q2(nC)Typ.

    :6.74

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax

    :0.053

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax

    :0.0391

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax

    :0.076

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax

    :0.056

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax

    :0.045

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :TSOP6F

  • Generation

    :U-MOSⅦ-H/U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.8 x 0.8

  • Package Size(mm2)

    :8.12

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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