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SSM6J215FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -3.4 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V \n; Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
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SSM6J215FE

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -3.4 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

Toshiba

SSM6J215FE

文件：232.42 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

技术参数

Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
VGSS(V)：
+/-8
ID(A)：
-3.4
PD(W)：
0.5
Ciss(pF)：
630
Qg(nC)：
10.4
=1.5V：
0.154
=1.8V：
0.104
=2.5V：
0.079
=4.5V：
0.059
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
ES6
Generation：
U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Package Size(mm^2)：
2.56
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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