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SSM6J215FE中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM6J215FE
厂商型号

SSM6J215FE

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

文件大小

232.42 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 12:00:00

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产品属性

  • 型号:

    SSM6J215FE

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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