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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching Features 1)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •High-SpeedSwitching Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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