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SSM3K72KFS	文件：232.79 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NN；Package：SSM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：232.79 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K72KFS	文件：247.31 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 文件：247.31 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K72KFS_V01	文件：232.79 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：232.79 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K72KFSLF	文件：232.79 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：232.79 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K72KFSLXGF	文件：232.79 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：232.79 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K72KFSLXHF	文件：232.79 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：232.79 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K72KFS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 0.3 A \nPower Dissipation PD 0.15 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
SSM
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
ID(A)：
0.3
=4.5V：
1.75
=10V：
1.5
Qg(nC)：
0.39
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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更多SSM3K72KFS供应商更新时间2025-10-11 15:14:00

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