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SSM3K59CTB

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅦ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本\n Drain current ID 2 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS 40 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V \n;

Toshiba

东芝

SSM3K59CTB

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

文件:228.79 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K7002F

TOSHIBA原装

SSM6J402TU(TE85L,F)

SOT23-6

SSM6K504NU

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS(V):

    40

  • VGSS(V):

    +/-12

  • ID(A):

    2.0

  • PD(W):

    1.0

  • Ciss(pF):

    130

  • Qg(nC):

    1.1

  • =1.8V:

    0.42

  • =2.5V:

    0.268

  • =4.5V:

    0.228

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    CST3B

  • Generation:

    U-MOSⅦ-H

  • Width×Length×Height(mm):

    1.2 x 0.8 x 0.48

  • Package Size(mm^2):

    0.96

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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更多SSM3K59CTB供应商 更新时间2026-1-29 15:01:00