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SSM3K376R	文件：243.82 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AKD；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON 文件：243.82 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K376R	文件：254.69 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AKD；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 文件：254.69 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K376R_V01	文件：243.82 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON 文件：243.82 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K376RLF	文件：243.82 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AKD；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON 文件：243.82 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K376RLXGF	文件：243.82 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AKD；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON 文件：243.82 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K376RLXHF	文件：243.82 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AKD；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.8-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON 文件：243.82 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K376R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：1.8-volt gate drive voltage\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 4 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS 12/-8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
30
ID(A)：
4.0
=2.5V：
0.072
=4.5V：
0.056
Qg(nC)：
2.2
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA 光耦集成电路	Original 元件	原厂原封	10050	TOSHIBA现货原装△-更多数量咨询样品批量支持;详询	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA/东芝	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23F	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA/东芝	24+	NA/	3000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA(东芝)	2405+	Original	50000	只做原装优势现货库存,渠道可追溯	询价
深圳市博中泰实业有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA/东芝	24+	SOT23	60000		询价
深圳市盈慧通电子有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA/东芝	2511	SOT-23	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
万三科技(深圳)有限公司	SSM3K376R	TOSHIBA(东芝)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
北京三盛恒业电子有限公司	SSM3K376R,LF	TOSHIBA	21+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SSM3K376R,LF	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	SOT-23-3 扁平引线	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

更多SSM3K376R供应商更新时间2025-10-7 13:40:00

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