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SSM3K376R_V01中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM3K376R_V01
厂商型号

SSM3K376R_V01

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

文件大小

243.82 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 16:34:00

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SSM3K376R_V01规格书详情

1. Applications

• Power Management Switches

• DC-DC Converters

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) 1.8-V gate drive voltage.

(3) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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